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?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
MMSD4448 Rev. A
MMSD4448 Small Signal Diode
June 2005
MMSD4448
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings *
Ta
= 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 100 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
TSTG
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature 150
°C
Symbol Parameter Value Unit
PD
Power Dissipation 400 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 312
°C/W
Symbol Parameter Conditions Min. Max. Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 5.0
μA
75
V
IR
= 100
μA
100
VF
Forward Voltage IF
= 5mA
IF
= 100mA
0.62 0.72
1.0
V
V
IR
Reverse Leakage VR
= 20V
25
nA
VR
= 20V, T
A
= 150
°C
50
μA
VR
= 75V
5.0
μA
CT
Total Capacitance VR
= 0, f = 1.0MHz 2.0 pF
trr
Reverse Recovery Time IF
= 10mA, V
R
= 6.0V,
4.0 ns
Irr
= 1.0mA, R
L
= 100
?
VF(peak)
Peak Forward Recovery Voltage IF
= 50mA, pw = 0.1
μs
2.5 V
rep rate: 5 to 10KHz
SOD123
Color Band Denotes Cathode
Top Marking: 10
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